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SQD35N05-26L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
1500
1200
6
5
I D = 35 A
C i ss
4
V D S = 25 V
900
3
600
C o ss
2
300
0
C r ss
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
3
6 9 12
15
0.20
0.16
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
0.6
0.3
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
0
0.12
- 0.3
0.08
- 0.6
I D = 5 mA
0.04
0.00
T J = 25 °C
T J = 150 °C
- 0.9
- 1.2
I D = 250 μA
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
70
67
64
61
58
55
I D = 1 mA
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2046-Rev. D, 24-Oct-11
4
Document Number: 68839
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